美国ITC正式对绝缘体上硅晶片启动337调查

　　2016年10月19日，美国国际贸易委员会（ITC）投票决定对部分绝缘体上硅晶片（certain silicon-on-insulator wafers）启动337调查（调查编号：Inv. No. 337-TA-1025）。
　　2016年5月26日，美国Silicon Genesis Corporation向美国ITC提出337立案调查申请，并且于2016年10月3日和10月7日补充了其立案申请内容，主张对美出口和在美销售的部分绝缘体上硅晶片侵犯了其专利权（美国专利注册号：6458672和6171965），请求美国ITC发布有限排除令和禁止令。
　　美国最终将以下企业作为指定应诉方：法国Soitec, S.A.。
　　美国贸易委员会将于立案后45天内确定调查结束期。除美国贸易代表基于政策原因否决的情况外，美国国际贸易委员会在337案件中发布的救济令自发布之日生效并于发布之日后的第60日起具有终局效力。